在半導(dǎo)體制造中，S neox通過(guò)共聚焦-干涉協(xié)同測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了焊點(diǎn)高度、直徑與傾斜角的高精度同步檢測(cè)。例如，在芯片封裝檢測(cè)中，設(shè)備可識(shí)別5μm級(jí)金線虛焊缺陷，重復(fù)性誤差控制在0.3%以?xún)?nèi)；在晶圓表面平整度檢測(cè)中，可識(shí)別納米級(jí)起伏，助力工藝優(yōu)化。設(shè)備支持與生產(chǎn)線聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)每分鐘30個(gè)電池極片的涂層厚度檢測(cè)，提升生產(chǎn)效率。在*封裝領(lǐng)域，S neox可檢測(cè)硅通孔（TSV）的側(cè)壁粗糙度與底部平整度，確保封裝可靠性。軟件內(nèi)置半導(dǎo)體專(zhuān)用檢測(cè)模板，支持焊點(diǎn)高度、直徑、傾斜角等多參數(shù)自動(dòng)計(jì)算，并生成符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)報(bào)告。設(shè)備還支持時(shí)間序列掃描功能，可追蹤封裝過(guò)程中材料性能的動(dòng)態(tài)變化，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，S neox通過(guò)共聚焦-干涉協(xié)同測(cè)量，可同時(shí)獲取焊點(diǎn)高度、直徑和傾斜角參數(shù)，重復(fù)性誤差控制在0.3%以?xún)?nèi)。例如芯片封裝檢測(cè)中，設(shè)備能清晰捕捉5μm級(jí)金線虛焊缺陷；晶圓表面平整度檢測(cè)可識(shí)別納米級(jí)起伏，助力工藝優(yōu)化。設(shè)備支持與生產(chǎn)線聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)每分鐘30個(gè)電池極片的涂層厚度檢測(cè)，提升生產(chǎn)效率。